核心内容
▶ 据悉，三星电子与SK海力士正竞相订购荷兰ASML的极紫外（EUV）光刻设备，投入金额分别达到10万亿至20万亿韩元。
▶ SK海力士今年3月宣布采购价值11.95万亿韩元的EUV设备，交付期限为2027年12月31日。
▶ 三星电子已为计划于2028年投产的平泽第五生产线（P5）订购光刻设备。两家公司都计划追加订单，投资额可能进一步增加。
在存储器行业景气高涨之际，最稀缺的已不是芯片，而是制造芯片的设备。
据业界8日消息，三星电子与SK海力士正竞相订购ASML的极紫外（EUV）光刻设备，据称各自投入了10万亿至20万亿韩元。
SK海力士于今年3月24日公告，将采购约11.95万亿韩元的EUV设备。这笔金额相当于其2024年末总资产的9.97%，包括设备费用以及安装、改造成本。设备交付期限为2027年12月31日。公司表示，此项投资旨在满足高带宽存储器（HBM）以及服务器、移动设备用通用DRAM的需求，并推动制程转向1c（第六代10纳米级）工艺。
三星电子则随着平泽投资计划扩大设备订购。该公司去年11月公布了未来五年在韩国投资450万亿韩元的计划，其中包括平泽第五生产线（P5），并将目标投产时间定在2028年。据悉，P5每座晶圆厂的投资额超过60万亿韩元。
业界预计，P5第一阶段洁净室将在明年上半年完工，届时设备将开始进场。三星电子已经为这条生产线订购光刻设备。
◆ 什么是EUV
半导体是在名为晶圆的圆片上利用光刻出电路制成的。光的波长越短，就越能刻画出精细的线路。EUV使用波长为13.5纳米的光，波长远短于传统设备，因此能够一次刻出更精细的电路。在此之前，为了刻画细线，人们需要采用多重图案化技术，将同一位置分多次曝光。这会增加工序，也会带来更多缺陷。EUV能够减少曝光次数，从而提高精度和良率。
随着DRAM不断迭代，生产对EUV的依赖也日益加深。由于电路间距不断缩小，越来越多的层离不开EUV。据市场研究机构TrendForce透露，SK海力士计划在1c DRAM制程中至少有五层采用EUV，比上一代增加两层。应用层数增加，也意味着需要更多设备。
三星电子于2020年3月率先在业界出货采用EUV的DRAM模组，据悉其EUV设备数量在存储器行业中最多。SK海力士于2021年2月在利川M16引进首台EUV设备，并于去年9月率先在业界引进最新的High-NA EUV量产设备。三星电子也于9月8日宣布扩大与ASML的合作，计划到2028年将High-NA EUV用于DRAM量产。
◆ ASML：“即使生产也供不应求”
全球只有ASML一家制造这类设备。ASML在公布第三季度业绩时表示，2027至2028年的供应将无法满足客户需求。今年EUV设备出货量约为65台，比去年的44台增加近50%。
ASML还在考虑将2027年产能提高30%，并于2028年再扩产30%，但表示即便如此仍将供不应求。第三季度，存储器企业占ASML系统销售额的46%。ASML表示，核心产品涨价的影响将从明年开始显现，并于2028年全面体现。
核心设备的交货周期较以往最长延长一倍，两家公司也在考虑提前下单。业界表示，视情况还将追加订单，因此设备投资额很可能进一步增加。
◆ 后道工序设备订单也排到两三年后
负责堆叠和封装芯片的后道工序设备行业，同样积压了两至三年的订单。据业界消息，韩美半导体和安靠科技等企业的订单已接近排满。这些企业正在扩大热压键合机（TC Bonder）等用于制造HBM、服务AI数据中心的工艺设备产能。
一位半导体行业人士表示：“用于AI数据中心的芯片为了实现大容量和高性能，先进前道工艺固然重要，但以多种方式组合、连接芯片的后道工序也变得更加关键。韩美半导体、安靠科技等企业也不可避免地与前道工艺企业的景气增长紧密相连，整个产业生态正在形成这样的结构。”