▶ 第28届半导体大展于14日在首尔COEX开幕。展会将持续至16日，共有300家企业设置888个展位，规模创历届之最。
▶ 三星电子展示了将HBM堆叠在AI加速器上方的“zHBM”模型。SK海力士则提出“HBF”构想，计划利用NAND闪存，将容量提升至同代HBM的约10倍。
▶ 两项技术都仍处于研发阶段。三星电子已向客户供应样品的HBM4E，与这两项技术的商业化阶段应当区分看待。
第28届半导体大展于14日在首尔COEX开幕。展会将持续至16日，共有300家企业设置888个展位，规模创历届之最。（来源：SEDEX 2026）
韩国最大规模的半导体展会“第28届半导体大展（SEDEX 2026）”于14日在首尔COEX开幕。
由韩国半导体产业协会主办的本届展会将举行三天，至16日结束。参展企业约300家，比去年增加70家，共设置888个展位。
三星电子和SK海力士不再局限于HBM性能竞争，而是将重点放在减少AI系统中数据传输瓶颈的技术上。
◆ 安贤：“在存储层级之间新增层级”
SK海力士开发总负责人（CDO）社长安贤在题为“AI时代存储技术的发展方向”的主题演讲中表示：“随着AI推理市场增长，存储层级之间的数据传输正成为新的性能瓶颈。”他还表示：“未来将在现有存储层级之间增加新的层级，以满足多样化的性能和容量需求。”
存储层级是根据数据使用频率和所需处理速度，配置不同存储器及存储设备的架构。
过去，行业面临的课题是将从SRAM、DRAM到SSD、网络存储的层级标准化；但随着AI计算需求激增，HBM的作用日益扩大。安贤表示，未来将在现有层级之间引入新的存储器，并根据客户对速度和容量的需求优化功能，“定制化存储器”将变得至关重要。
◆ 三星电子：将封装与晶圆代工整合到HBM4E中
三星电子以“AI系统设计”为主题，在同一展区展示了存储器、系统半导体和晶圆代工业务，核心产品是第七代HBM——HBM4E。
该产品于5月首次出货48GB、12层堆叠样品，采用1c DRAM和4纳米逻辑芯片。其每引脚最高速率为16Gbps，单个堆栈带宽最高达3.6TB/s；与HBM4相比，运行速度提高20%以上，能效提升16%以上。
现场还展出了缩短存储器与计算单元物理距离的3D结构“zHBM”模型。该方案不是将HBM放在AI加速器旁边，而是垂直堆叠在加速器上方，以缩短数据传输距离。
三星还展示了可在存储器内部执行部分计算的“LPDDR-PIM”，以及将NAND堆叠为4层、8层的“zNAND-O”。封装方面，展品包括采用RDL中介层而非硅中介层的“2.3D Cube-E”、通过混合键合将GPU与HBM垂直堆叠的“3D Cube-H”，以及通过光信号连接芯片的CPO模型。
三星的构想是，不仅提升存储器性能，还整合制造和连接技术，从而提高AI系统效率。
◆ SK海力士：以堆叠NAND的HBF打造新存储层级
SK海力士展区摆放了HBM4E以及HBM和高带宽闪存（HBF）的结构模型。与堆叠DRAM的HBM不同，HBF垂直堆叠NAND闪存，利用其适合实现大容量的特性。
其开发目标是达到同代HBM一半左右的带宽，并实现约10倍的容量。SK海力士计划将HBF设为HBM与存储设备之间的新存储层级，用于处理大规模AI推理所需的数据。
展区还展出了英伟达CEO黄仁勋签名的HBM晶圆、HBM发展历程，以及面向AI服务器的256GB 3DS RDIMM、128GB MRDIMM、64GB 1c RDIMM、企业级水冷SSD、GDDR7、LPDDR6和UFS 5.0。
◆ 半导体材料、零部件和设备企业竞逐封装设备与材料
材料、零部件和设备企业也将先进封装作为展示重点。周成工程首次介绍了业界首创的原子层生长（ALG）技术。
韩美半导体展出了用于HBM4生产的“TC Bonder 4”、计划于明年推出的宽幅TC Bonder、切割·清洗·放置（MSVP）设备，以及5种2.5D封装设备。东进世美肯重点展示了实现国产化的封装增层薄膜“DJBF”，该产品此前由日本企业垄断。
PSK和PSK控股展示了覆盖前后道工序的产品，包括基于等离子体的光刻胶剥离、干法清洗和蚀刻设备，以及面向HBM的无助焊剂回流和去胶渣设备。三星电子设备子公司SEMES则展出了从清洗、蚀刻设备到键合机和探针台等产品。
展会期间还将举办先进封装研发国际会议、全球半导体标准论坛和半导体市场展望研讨会。