核心摘要
▶ 三星电子正在与主要客户协商2027年高带宽内存（HBM）的供应价格。
▶ 市场预计，随着产品转向HBM4、供应趋紧，三星电子HBM的平均售价可能比今年上涨一倍以上。
▶ KB证券预测，三星电子2027年HBM售价将比今年上涨100%以上。市场研究机构TrendForce也预计，明年HBM平均售价将上涨121%。
▶ 三星电子已于今年2月开始量产并出货第六代HBM4。明年HBM4供应将全面增加。HBM4采用1c DRAM和4纳米逻辑基底芯片。
市场接连预测，三星电子高带宽内存（HBM）价格明年将大幅上涨。主力产品从HBM3E转向HBM4之际，AI内存供应短缺与通用DRAM价格上涨也叠加在一起。
据7日业内及证券界消息，三星电子正在与主要客户协商2027年HBM供应价格。据悉，围绕英伟达、博通等主要客户的明年供应量协商已在进行，价格谈判也进入尾声。
市场认为，三星电子提出的HBM4价格较现有HBM3E大幅提高。不过，目前市场上讨论的价格只是谈判过程中提出的报价，最终合同价格尚未敲定。
◆ 从HBM3E转向HBM4……平均价格有望翻倍
价格上涨的最大背景是HBM世代更替。三星电子于今年2月启动HBM4量产，并向客户出货商用产品。三星电子HBM产品的重心也正迅速从HBM3E转向HBM4。
证券界认为，在这一过程中，HBM平均售价（ASP）将大幅上升。
KB证券预测，三星电子2027年HBM售价将比今年上涨100%以上。该机构预计，HBM4营收占比将从今年约40%扩大至明年约80%，并分析称，HBM4将推动整体HBM平均售价上升。
市场研究机构TrendForce上月29日预测，2027年整体HBM平均售价将比今年上涨121%。
该机构给出的理由包括：AI服务器需求持续增长、HBM供应紧张、价格相对较高的HBM4占比提高，以及从明年下半年起HBM4E产能也将扩大。
◆ 通用DRAM价格上涨也推高HBM身价
通用DRAM价格上涨也正在影响HBM价格谈判。TrendForce预测，今年第四季度通用DRAM合约价格将比上一季度上涨10%至15%。随着AI服务器等领域对高性能内存的需求增加，DRAM厂商正优先将先进制程产能分配给服务器和HBM产品。
HBM与通用DRAM共用产能。HBM产量越高，可用于通用DRAM的晶圆和先进制程产能就越少。
HBM消耗的晶圆也比普通DRAM更多。业内认为，生产相同容量的HBM所需晶圆面积远大于通用DRAM。
三星电子也预计，明年HBM在整个DRAM行业晶圆产能中的占比，将从目前约20%升至接近30%。
由此形成了这样一种局面：HBM扩产挤压通用DRAM供应，而通用DRAM价格上涨又反过来增强HBM的议价能力。
◆ HBM4采用4纳米基底芯片，制造成本也随之提高
HBM4本身比前代产品更难制造，也是价格上涨的因素之一。三星电子的HBM4堆叠了第六代10纳米级1c DRAM，并在最底层采用三星晶圆代工4纳米制程制造的逻辑基底芯片。
HBM3E及此前产品主要依靠存储器制程制造，而从HBM4开始，先进逻辑制程的重要性显著提高。产品价格不仅受到DRAM生产成本影响，也会受到先进晶圆代工制程成本影响。
三星电子HBM4可稳定实现每引脚11.7Gbps的传输速度，最高支持13Gbps。三星电子在今年2月宣布量产时表示，采用1c DRAM和4纳米基底芯片，从初期便实现了稳定良率。
明年的HBM价格很可能不仅反映供应短缺，也会体现HBM4转换带来的制造难度和成本上升。
◆ 美光已提高2027年价格并签订合同
竞争对手美光也在推高明年HBM价格。美光近期在业绩电话会议上表示，已售出2027年相当一部分HBM供应量，价格也较2026年大幅提高。
美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉预计，从2027年起，HBM价格上涨将逐步反映出来，通用内存与HBM之间的盈利能力差距也将缩小。
美光实际提高2027年合同价格后，三星电子和SK海力士在价格谈判中也迎来了有利环境。
TrendForce也预测，考虑到AI服务器需求增长和产能有限，HBM供应短缺将持续至2027年。
◆ HBM在三星DRAM营收中的占比将扩大
随着价格和出货量同步增长，HBM在三星电子DRAM业务中的占比预计也将上升。
韩亚证券预计，随着三星电子面向主要客户全面启动HBM4出货，2027年HBM在三星电子整体DRAM营收中的占比将升至15%左右。
不过，价格上涨并不意味着利润必然同步增长。HBM4良率、客户认证进度、实际合同价格以及各产品的供应量，都是影响因素。目前市场讨论的较高HBM4价格，也并非与客户完成谈判后的最终价格。
关键在于，从明年三星电子全面扩大HBM4供应开始，价格和出货量究竟能在多大程度上反映到业绩中。